逆变器什么场管功率大 哪种场效应管逆变器功率更强？

1、功率承受能力大的MOSFET场管

MOSFET场效应管是目前逆变器中最常用的场效应管之一，其功率承受能力大，能够达到数百瓦或数千瓦级别，因此在逆变器中被广泛应用。

相比于其他晶体管，MOSFET场效应管的主要优点为：一是电阻小，导通电压低，导通损耗小，因此也不需要用驱动电路；二是存储时间短，开关速度快，可以保证高频率开关。

此外，MOSFET场效应管还具有强大的耐压能力和耐损耗特性，能够满足逆变器中长时间高频率工作的要求。

2、功率密度高的IGBT场管

IGBT场效应管是另一种逆变器中常用的场效应管之一，其功率密度高，能够达到数千瓦或数万瓦级别。

相比于MOSFET场效应管，IGBT场效应管的主要优点为：一是它可以承受高压，因此可以适用于高压直流逆变器；二是电流承受能力高，可以驱动高功率负载；三是绝缘能力强，能够最大限度地避免器件短路。

虽然IGBT场效应管的导通电阻比MOSFET场效应管高，但它的开关速度比MOSFET场效应管快，因此可以适用于高频率开关的逆变器。

3、高电压浪涌能力强的SiC MOSFET场管

SiC MOSFET场效应管是近年来出现的一种新型场效应管，其主要优点在于高电压浪涌能力强。

相比于传统的铜结线封装的MOSFET场效应管，SiC MOSFET场效应管采用铝结线封装，可以承受较高的电流密度，因此具有更高的功率密度。

此外，SiC MOSFET场效应管的开关速度也非常快，因此适用于高频率开关的逆变器。

4、高温工作能力强的GaN HEMT场管

GaN HEMT场效应管是另一种新型场效应管，其主要优点在于高温工作能力强。

相比于传统的Si MOSFET场效应管，GaN HEMT场效应管可以在150℃以上的高温环境下工作，因此具有更广阔的应用范围。

此外，GaN HEMT场效应管的高电流密度和高速开关特性也使其成为高频率逆变器的理想选择。