半导体指的是一类导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导电性能受到多种因素影响。半导体的基本结构由晶格、电子、孔洞三个组成部分构成。晶格是由原子结构连成的周期性结构，电子和孔洞则是半导体的主要载流子。晶格中原子位于平衡位置，其电子形成价带，空的位置形成导带，带隙是这两个带之间的能量间隙。
在半导体中，如果某些原子的原子价电子数小于最大电子数，则其几乎不参与共价键的形成，形成空穴缺陷。当少一个电子时，带隙中发生细微变化，发生转变为少了一个电子的材料，这种材料会与原材料形成半导体。半导体中的空穴可以被电子填补，这使得半导体的导电性质更加灵活可控。
半导体在制造过程中常常被掺入少量的杂质元素，例如掺入磷、铝等元素。这种处理过程被称为“掺杂”，可以使半导体导电性能发生巨大变化。掺杂的杂质元素又分为掺入n型杂质和p型杂质，n型杂质是一种主要的杂质元素，掺入后可以使半导体富余自由电子而导电，而p型杂质则是掺入可以使半导体缺电子而导电的元素。
这种掺杂的方式可以对材料的导电性能提供很高的可控性，是半导体制造过程中必不可少的一步。
在半导体中，温度对导电性能的影响也非常大。半导体中的电子会不断地受到周围原子振动的干扰，当温度升高时，原子的振动能量也增加，导致电子更容易脱离原子进入传导带，从而导电性能增强。同时，半导体中的杂质元素如果处于活性状态，也会在高温下发挥更强的导电作用。
当温度升高到一定程度时，半导体中的电子会与原子发生碰撞，对于导电性能来说这其实是一种阻碍。因此，半导体的导电性能与温度之间具有一定的正相关性。
光照对半导体导电性能也有着重要影响。在半导体中，光子会被吸收并激发电子，从而产生电子空穴对，使得半导体的导电性能增加。光照还可以使得未激发的电子进入传导带，这也进一步增加了半导体的导电性能。这种现象被称为“光生导电效应”。
有些半导体材料的导电性能会随着光照强度的增加而增加，而有些则会出现“饱和”现象。光照对半导体导电性能的影响使得半导体在光电器件中得到广泛应用，例如光敏电阻、光电二极管等等。
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