Si和C都在同一个周期中,它们都是第14和第6号元素。但是Si-Si键比C-C键要长,而且更强。下面从几个方面来详细阐述Si-Si键比C-C键强的原因。
首先,Si原子比C原子更大,这使得Si-Si键比C-C键更长。Si原子的原子半径比C原子大得多。Si原子半径为111 pm,而C原子半径只有77 pm。Si原子的作用半径要比C原子大很多。由于Si原子更大,Si-Si键的键长比C-C键更长。
Si原子与Si原子之间,在d轨道上存在部分交叉。由于Si原子的价电子结构与C原子相似,但Si原子还在完整层上拥有很多价电子,这些价电子提供了更多重叠区域。这就增加了Si-Si键的交叉积分和键能量。
相比之下,C原子有较少的价电子高层,这些价电子参与的相互作用比较少,C-C键的强度也就较弱。
由于Si原子比C原子大得多,其阻挡效应也就更强。在Si-Si键中,大的Si原子需要比C-C键中的较小原子更多的空间来容纳,这导致了更强的排斥力。同时,Si原子离核外电子云的分布也比C原子更远,使得S-S键更容易屈服于外力的影响而发生赝滑移。
Si原子与C原子一样都是非金属元素,它们在化学反应中都很容易失去电子。然而,Si-Si键比C-C键更强,这表明Si原子比C原子具有更强的电子亲和力和负电性。在Si-Si键中,Si原子能够容纳更多的电子,这些电子能够形成更强的Si-Si键。这也是Si-Si键比C-C键更强的原因之一。
总之,Si-Si键比C-C键更长,更强,这是由于Si原子比C原子更大,Si原子与Si原子之间存在的d轨道交叉重叠更多,Si原子的阻挡效应更强,Si原子的电子宿主能力更高等多种因素综合作用的结果。深入了解这些因素可以帮助我们更好地理解各种分子中的键的强度。