MOS管指的是金属-氧化物-半导体场效应管。这种管子常用于数字电路、应用于集成电路、模拟电路、功率电子电路、雷达及计算机等电子器件。下面,我们就来了解一下MOS管里面的内容。
MOS管的结构非常复杂,有两种类型:N沟道MOS管和P沟道MOS管。其中,N沟道MOS(NMOS)管是以N型MOS为主的器件,P沟道MOS管(PMOS)则以P型MOS为主。然而,这两种MOS管都具有相同的构造,其内部被分成三个区域:源区、漏区和栅区。其中,漏区和源区之间隔着一个栅区,而栅区涂满着氧化层,同时在上方是金属电极。
源区和漏区是类似的,彼此之间可以交换位置,由于源和漏二极管具有不同的性质,因此,在MOS管的引脚定义中,必须明确源和漏的定位。
MOS管中的金属部分主要是铝或者铜。在金属下面是导体,导体底下是半导体,半导体下方是绝缘层,最深处是衬底(background)。
在源极和漏极之间是有一个PN结的,也就是一个二极管。当PN结的电势比较低时,PN结被击穿了,漏极的电势就会通过二极管到达源极。当PN结被击穿时,MOS管的电流超过了临界点,导致电势可以从栅变为源。
当MOS管处于断开状态的时候,电势可以被阻挡,通过栅的电压进行控制。源和漏距离较远,在这个模式下基本不产生电流。
当MOS管处于开启状态时,电势可以通过管子。通过在栅电极上施加正向电压,可以将管子中的电子推向漏极。这就意味着MOS管产生电流。
总之,MOS管可以使用栅来控制从源到漏间的电势,也就是电流。