IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写,是一种高压、大电流的功率半导体器件,主要用于变频调速、逆变器、矩阵变换器等电力电子领域。
IGBT具有低导通压降、高开关速度、低饱和电压、温度稳定性好等特点,因此在工业、交通、军事等领域得到了广泛应用。
有许多在生产IGBT领域的厂家,其中株洲市国创电子材料有限公司(简称国创)是国内较早生产IGBT的厂家之一,成立于2002年,是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业。
国创IGBT产品主要应用于变频器、轨道交通、太阳能、风能等领域,生产的IGBT产品有:速度型、软启动型、特高压型等多种规格和型号可供选择。
国创生产的IGBT产品具有以下几个特点:
1. 高可靠性:采用尖晶石衬底工艺,具有高的结构稳定性和热稳定性,延长了器件的使用寿命。
2. 低开关损耗:通过特殊的技术手段,有效降低了IGBT的导通电阻和开关电阻,减小了开关能耗。
3. 低噪声:采用独特的设备和工艺,控制晶体管内部杂散噪声,减小了干扰。
国创生产的IGBT产品质量稳定、性能优越,深受国内外客户的信赖和好评。在电力电子领域,国创IGBT的市场份额逐年扩大,在轨道交通、工业自动化、可再生能源等领域的应用也得到了广泛推广。
同时,国创还通过创新和研发不断提高产品性能和品质,加强对客户的服务,力争成为全球领先的半导体厂商之一。