ipb407n30n是一款N沟道MOS场效应管(MOSFET)。
MOSFET是一种用于开关或放大信号的电子器件,由金属氧化物半导体(MOS)构成,工作原理是控制氧化物平面上的电场。N沟道MOSFET指的是电流通过结构中的n-type沟道,因此又叫NMOSFET。
ipb407n30n具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容以及封装体积小等特点。
其额定电压为600V,最大工作电流为16A,额定功率为190W。
此外,ipb407n30n还有较高的可靠性和长寿命,在工业控制、电力电子、电源和汽车电子等领域有广泛应用。
ipb407n30n主要应用于交换电源、电机驱动器、照明系统、汽车电子等领域。
在交换电源领域,ipb407n30n可用于电池充电、逆变器、变频器、DC/DC转换器等电路中;在电机驱动器领域,可用于直流无刷电机控制器、步进电机驱动器等;在照明系统领域,可用于LED驱动器、电子镇流器等电路中;在汽车电子领域,可用于火花塞点火、安全气囊、制动器控制等系统中。
ipb407n30n在众多领域被广泛应用,以下是其在交换电源领域中的一个应用案例。
ipb407n30n可用于交换电源的反激电路中,其在此电路中担负削减输入电压峰峰值(Vpk)的任务。其整体的降噪方案是通过将电容性滤波和失配添加在MOS管的源极端和栅极端,以减少MOSFET开关时的噪声等因素。