MOS 全称是 Metal-Oxide-Semiconductor,中文意思是金属氧化物半导体。
MOS 是半导体器件之一,主要由 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)构成。MOSFET 是指利用 MOS 结构的漏电流的可控性作为管子的控制手段,改变漏电流而控制器件的导通和截止的一种器件。MOS 的基础原理是金属导体上覆盖一层氧化物,然后再在氧化物上形成一层半导体。
当 MOSFET 导通时,栅极工作点靠近上阈值,因此即使小信号输入,栅极就可以控制漏极的电流。从而实现了输出电路和输入电路之间的隔离。
相比于其它半导体器件,MOS 具有电容大、阻值大、速度快、功耗低等特点,也因此被广泛应用于数字电路中。
MOSFET 的栅极输入电容非常小,因此其输入电阻很高,可以提高传输速度。同时,MOSFET 消耗的电能很小,可以降低功率损耗和温升。
MOS 被广泛应用于数字电路、模拟电路、半导体存储芯片等领域。数字电路中,MOS 能够实现扩频技术、缓冲放大等;模拟电路中,MOS 可以实现放大、限制、滤波等功能;在存储芯片领域,MOS 的应用则主要体现在 FLASH 存储器和 SRAM 存储器中。
随着科技的不断进步,MOS 正朝着工艺的微缩化和功耗的降低方向发展。同时,MOS 技术也在往三维多层堆叠、芯片级封装、智能化等方向拓展。未来,MOS 技术将在更多的领域、更高的水平得到应用。