目前市场上类似于2301的电子元件还有很多,可以根据需求进行选择替代。
比如说,可以选择上下晶体管电流为1.5 A、集电极、射极、基极最高额定电压分别为100 V、80 V、6 V的PMPDJ15XN。
还可以选择上下晶体管电流为1A、集电极、射极、基极最高额定电压分别为60 V、60 V、6 V的CFA10100。
如果需要找到封装尺寸相同的替代元件,可以选择DPAK封装类型型号为MPQ6600的场效应管。
此外,还有封装类型为TO-252的TIP48的三极管也可以作为2301的替代元件。
如果需要更加符合现代要求的功能特点的替代元件,可以选择ST公司推出的替代型号,例如STW12NM80。
该元件是N沟道MOS场效应管,与2301相比,主要有以下不同的功能特性:
1、最大漏源极电压从原来的100 V提高到了800 V;
2、上下晶体管电流从原来的1.5 A提高到了12 A;
3、开关速度进一步提高。
考虑到2301是一个老旧的元件,有些特点已经被淘汰,也有一些问题,可以选择20年前推出的PDTC114ET作为替代元件。
PDTC114ET是一个NPN数字晶体管,具有以下特点:
1、能够承受高压(额定电压达到100V);
2、切换速度快(截止时间仅为30纳秒)。
其中,截止时间是指晶体管从导通状态进入截止状态的时间。