sG8N60M是什么 sG8N60M意义解释

sG8N60M是什么

sG8N60M是一款N沟道MOSFET（MOS场效应晶体管）晶片，这个晶片使用了Sanken电气公司的技术。

1、 结构

sG8N60M可以承受600伏的电压和8安培的电流，其封装形式为TO-3P。同时，该晶片的N沟道开路电阻最小，可以使器件的原件损失尽量降低。

其结构示意图如下：

其中：G表示晶体管的控制管脚，D表示漏极，S表示源极，VCC表示电源输入口，VD表示负载输入口，RS表示均流电阻。N沟道MOSFET的基本结构与PNP硅结晶体管相似，主要由P型硅衬底、N型沟道区以及P型漏极构成。晶片上还有控制晶体管的逻辑电路。

2、 特点

sG8N60M的N沟道开路电阻最小，能够将器件的原件损失最大程度地降低，同时还有较好的转导特性和开关特性。另外，在高温下其特性稳定性也很好，可靠性高。

除此之外，sG8N60M的漏极电流特别小，在开关转换时的动态损耗也较小，对于应用于高频高速的电路设计有很大的优势。此外，该晶片还采用了符合RoHS指令的铅无钎接封装，体积小、重量轻。

3、 应用

sG8N60M一般应用于交流电机控制、电矩波控制、电源逆变器、灯光控制等领域，主要是用于高性能电源和电动工具PCB设计中的功率级。

该晶片广泛用于各种工业控制、电源管理、电动工具、白色家电、车载电子、便携电子等领域。如电动工具的板圈电路、芯片数控电源、电器的双向开关电源模块、通信电源模块、汽车用马达驱动、家电控制等等。