VGS是MOSFET的栅极电压,它的大小对MOSFET的导通和截止状态起着重要的作用。在MOSFET的工作中,由于栅极与管体之间的电容非常小,因此只要VGS值比Vth(MOSFET的门阙电压)高出足够的电压,电子就可以漏到表面,导致通电。
晶体管栅极和漏极之间存在电子流通,在没有负载电流的条件下,栅极电压由于电子流通,栅极和漏极之间的电压相等,栅极和漏极之间没有负压。
如果在晶体管的漏极口处都装有容抗负载,那么当漏极的电压高于栅极电压时,晶体管将不会导通。这时,漏极电压急剧下降,栅极电压上升,这种情况下,从栅极到漏极之间并不存在负压。
MOSFET的栅极与漏极之间不存在电子流通,所以栅极和漏极之间没有负压。相对于晶体管,MOSFET的电容变小了,这就是为什么MOSFET的开关速度比BJT快的原因之一。
MOSFET的漏极电流是由栅极电源的电压控制的,当栅极电压高于门阀电压(Vth)时,漏极电流急剧增加,当栅极电压达到MOSFET的最大额定电压时,漏极电流已经达到了最高值,此时漏极电压已经很低了,栅极电压也将达到其最大值。
MOSFET拥有一个由金属、氧化物、半导体组成的栅极层,相比双极型晶体管,栅极层的特殊结构使得MOSFET的控制方式更加灵活。
虽然在工作过程中MOSFET的栅极和漏极之间没有负压,但是相比双极型晶体管,MOSFET有着更高的输入阻抗和更低的输出阻抗,从而在功率放大器中具有更佳的线性和高效率。
MOSFET被广泛地应用于各种功率放大和开关电路中,包括音频功率放大器、直流电源开关、电动汽车控制器、伺服电机等。其应用广泛而受重视,在半导体器件领域拥有广泛的发展前景。