什么事mosfet死区时间 mosfet死区时间是什么？

什么事mosfet死区时间

MOSFET是一种主流的电力开关器件，广泛应用于各种电源和控制电路中。然而，在一些高速开关应用中，由于MOSFET器件的特性，可能会出现死区现象，导致开关失效。 MOSFET死区时间是描述这种现象的一个重要参数。本文将从以下几个方面对其做详细阐述。

1、死区时间的概念

在MOSFET开关过程中，由于组成MOSFET的PN结处于截止状态，使得MOSFET在开关状态下面临死区现象。 死区时间是指MOSFET的灵敏度低于一定阈值时，电流无法通过MOSFET引脚之间的通道，导致MOSFET失效的时间。 死区时间是影响MOSFET开关频率及其性能的重要指标。

2、死区时间的测量方法

MOSFET死区时间是一个比较难以测量的参数。一般采用同步整流器、反向恢复二极管的反向重复性等实验方法进行测量。另外，在实际开关电路中，可以通过增加反向二极管及电容等补偿电路来消除死区。

虽然可以通过增加平衡电路来缩短死区时间，但过度补偿可能损害MOSFET。因此需要在具体应用中进行实验验证，以确定合适的补偿电路。

3、影响死区时间的因素

在MOSFET开关中，影响死区时间的因素很多。其中，MOSFET器件本身的参数，如阈值电压、场效应迁移长度、漏电流等，会对死区时间的大小和形状产生影响。此外，负载电容、反向恢复二极管（FRED）、环路中的电抗元件及降级PGA等因素也会影响死区时间。

因此，在实际应用中，需要综合考虑各种因素并选择合适的补偿电路，以确保MOSFET开关的可靠性和高效性。

4、如何合理设计补偿电路

针对MOSFET开关中死区时间的问题，一些研究机构和企业提出了多种补偿电路方法，如寄生二极管、启动交流电容、异步驱动等。这些方法各有优缺点，需要根据实际应用场景选择合适的解决方案。

此外，由于MOSFET死区时间随着温度、电压等参数的变化而变化，因此应该根据实际应用场景对补偿电路参数进行合理设计，并根据实际使用情况进行测试和调整。

结论

MOSFET死区时间是影响MOSFET开关频率及其性能的重要指标。在实际应用过程中，可以通过选择合适的补偿电路来解决MOSFET死区时间的问题。在具体设计中，需要综合考虑MOSFET器件参数、负载电容、反向恢复二极管、环路中电抗元件及温度、电压等因素，并根据实际情况进行测试和调整，以确保MOSFET开关的可靠性和高效性。