Flash通常使用NAND存储芯片，而NAND存储是一种非易失性存储技术，即无需常电力支持也能保留存储内容。与硬盘不同，一旦Flash内的存储单元被写入，就不能够在不改变其他单元的情况下擦除或修改这些单元。这是因为，Flash内存芯片内的每个存储单元都是由晶体管和电容构成的，其中电容存储逻辑0和逻辑1，而晶体管则负责读取和写入数据。
在进行擦除操作时，Flash存储芯片会首先将要擦除的存储单元电容中的电子释放掉，并将其电容充电，这个过程需要一个大量的电荷。因此，如果我们要擦除某个存储单元，必须一次性将整个存储块的所有存储单元的电容清空，然后再把需要修改的单元重新写入。
Flash内存芯片内部是先进的半导体电路，这些电路中有一些具有特殊的逻辑结构，如位线、字线和阈值级等。如果想要擦除单独的存储单元，就必须影响存储单元周围的其他单元，从而会受到许多硬件结构的限制，因此无法进行部分修改。
此外，擦除Flash存储芯片需要从外部进行大量的电能输入，稍有不慎可能会损坏芯片；就算擦除成功，它的寿命也会因此而降低，这也是Flash内存一旦写入就无法修改的原因之一。
擦除Flash必须消耗大量的能量和时间，这对于一些大容量的Flash来说是非常不划算的。因此，为了提高芯片的删写效率并减少使用电力，Flash使用了一种叫做“页式编程”的方法。
页式编程是一种页内编程技术，它在擦除Flash存储芯片数据时，不是一次性地进行整个存储空间的擦除，而是按照一页一页的小块来进行擦写，这样就能够实现部分可编程的功能。不过，因为擦除操作是非常耗时的，所以Flash一经写入就难以修改，对于实时需要修改内存的场合来说，可能需要使用其他高速存储，例如RAM。
综上所述，Flash内存的特殊的电路结构和使用的非易失性存储技术，使得它无法实现部分的数据修改，因此Flash一经写入就难以擦除或修改。虽然页式编程技术可以实现部分可编程，但由于擦除操作仍是非常耗时的，因此Flash无法在实时应用中扮演重要的角色，而需要与其他更高速的存储介质共同合作。
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