场效应管,又称为MOS管,是一种电子元器件,是一种电子开关或电阻,可以用于模拟电信号放大,数字电路的开关和模拟电路的变阻。场效应管的控制原理是通过不同的电压,改变器件中的场强,控制排在场效应管上的导通状态与电阻状态,达到控制电流的目的。
通俗来说,场效应管是一种基于场控制的器件,可以通过控制端的电压来改变管子中的场强从而改变电流。相比于双极性晶体管,场效应管的特点是具有高输入阻抗和低噪声等特点,在数字电路的应用场景下得到了广泛的应用。
场效应管的核心部分是一个P型或N型的半导体材料,称作基片或衬底。基片上有一层绝缘层(如二氧化硅、氧化铝等),在绝缘层上覆盖有一层金属电极(相当于晶体管的集电极),则形成了一个N型或P型的通道,通道两端分别接上Drain(源极)和Source(漏极)。
在没有电压作用时,通道内并没有电子流动。当加到Gate(栅极)电压Ugs时,栅极上形成强电场。当Ugs达到一定程度时,栅极下的半导体材料内形成的电子受到栅极电场的控制,堆积在栅极附近,形成一个负载荷电。这个荷电区域和通道之间就形成了一定的耗尽区,这个耗尽区将限制源极和漏极间通道的导通,从而实现场效应管的控制。
与双极性晶体管相比,场效应管的优点在于:
1、输入阻抗高,输入电容小,电路输入信号信噪比高;
2、电流控制能力强,使用场合广泛;
3、体积小,重量轻;制造工艺简单;
4、工作可靠性高,工作环境适应性好;
5、成本低,可批量生产。
而缺点则是:
1、易受到电源噪音等外界干扰而导致性能不稳定;
2、与电源电压的变化有关,工作点难以采用固定偏置方法;
3、输入信号电压频率较高时,由于栅源耦合电容会引入一定的失真,不能应用于大功率放大。
场效应管的应用十分广泛,如:
1、在模拟电路中可做缓冲器、放大器、振荡器等元件;
2、在数字电路中可做开关、CMOS电路、振荡器、计数器等元件;
3、在功率电路中可用于直流变换器、交流调光器等应用。
除了以上常见应用,场效应管还可以用于传感器、光电方面的转换等,应用的领域还在不断扩展。