在流水灯程序中,FE是指“Flash Enable”,即闪存启用的意思。闪存是一种非易失性存储器件,流水灯程序需要对其进行编程,以便控制流水灯的工作方式和模式。
在具体实现上,通过给FE引脚施加高电平信号,可以启动闪存的写入操作;而给予低电平信号,则表示闪存处于容量存储器状态(CM状态),此时无法进行写入和擦除操作。
在流水灯程序中,FE通常被应用于内部程序存储器和数据存储器的编程。通过将不同的代码数据存储在不同的内部程序存储器中,可以实现流水灯的不同模式和效果。
编写流水灯程序时,需要先定义程序存储器中存储的数据,以便后续插入FE指令。在将数据写入内部程序存储器之前,需要首先将闪存内部地址指针设为程序存储器起始地址,并将FE引脚拉高,启动闪存编程模式。然后,通过数据接口将事先定义好的数据写入内部程序存储器中,直到全部数据写入完成。当写入操作结束时,需要将FE引脚拉低,退出闪存编程模式。
闪存编程是一种按位编程方式,通过将逻辑电平转换为实际物理操作,来改变存储器单元的状态。在闪存编程过程中,一般需要通过FE指令来进行闪存启用和关闭,以及数据的写入和读出操作。
启用闪存编程时,FE引脚会被拉高,并产生一个时钟脉冲,通过数据线将编程数据输入到闪存内部。每32位编程数据被输入完成后,闪存内部的校验电路会进行数据的校验,并判断该数据是否为正确的编程数据。如果编程数据无误,则闪存会将其写入对应的存储单元,并将内部地址指针加1;如果编程数据有误,则闪存会丢弃该32位编程数据,不进行任何操作。
在所有的编程数据被写入闪存之后,需要进行闪存的擦除操作,以便对存储器的状态进行清空和重置。此时,需要将FE引脚拉高,并通过数据线发送擦除指令,擦除开头指针所指向的整个编程数据块。闪存内部的擦除电路会将对应存储单元中的数据擦除为全0状态,并将内部地址指针重置到编程数据块的起始地址。
FE不仅仅应用于流水灯程序中,还可以在许多其他系统中进行应用。比如,在一些嵌入式系统中,可以通过FE指令对系统固件、内部寄存器和特定寄存器等进行编程和读取操作。此外,在一些高速通信系统中,也可以通过FE指令进行多一次寄存器的编程,以开启或关闭信号的传输,从而控制系统的工作模式和性能。