SRAM(Static Random Access Memory)内存是一种基于静态逻辑门的内存,具有快速的读写速度和较低的功耗,可以作为高速缓存进行存储器层次结构中的高速存储器。SRAM以逻辑电路的形式存储数据,每个存储单元(cell)由6个晶体管组成,其中两个存储数据,另外四个则用于控制存储单元的读写操作。由于它的读写操作非常简单,每一次读写都只需要一个时钟周期,因此速度很快。但是,SRAM的缺点是存储单元的面积很大,在大规模内存中的成本也很高。
随着计算机的发展,内存的要求越来越高。如今,大规模内存的容量已经达到了GB级别。而SRAM内存的存储单元面积很大,每个存储单元需要6个晶体管,面积较大。因此,大规模内存需要占用大量的芯片面积,成本非常高。相反,DRAM可以使用仅3个晶体管实现一个存储单元,面积小,制造成本相对较低。
SRAM内存依靠静态逻辑门存储数据,因此即使电源关闭,也可以保持数据不丢失。这种存储方式需要一定的电流支持,因此SRAM内存的功耗较高。相比之下,DRAM内存采用存储电荷的方式,通常的电源关闭后,DRAM需要在一定时间内将内部的电荷释放掉,以保证数据不丢失。DRAM依靠电容存储数据,因此功耗较低。在功耗这个指标上,DRAM占有一定的优势。
对于一个计算机系统,内存的稳定性和可靠性是非常重要的。SRAM内存采用基于静态逻辑门的存储方式,由于静态逻辑门的运作原理是非常简单的,它们在大部分的工作条件下都是非常稳定的。因此,SRAM内存一般来说比较稳定和可靠。而DRAM内存采用存储电荷的方式,需要在访问时不断刷新,以防止电荷泄漏导致数据丢失。因此,DRAM内存虽然速度较慢,但是更可靠。