nandflash是一种基于快闪存储器的存储设备，具有非常高的存储密度和快速数据读写能力。nandflash存储器的内部结构由若干个一级页组和二级页组构成。一级页组中包含多个物理存储单元（P-Unit），而一个P-Unit包含着多个块和每个块中有多个逻辑页。不同容量的nandflash中，块的数目是不同的。
例如，对于一个32G位（即4GB）的nandflash存储器而言，它通常由16个芯片组成，每个芯片有2048个块，每个块包含128页（即64KB），因此，整个nandflash存储器中的总页数为16 x 2048 x 128 = 524,288页，总容量为4GB左右。
nandflash内部存储单元的大小是由其芯片制造工艺来决定的，目前主要有90纳米、80纳米、70纳米、60纳米、50纳米、40纳米、30纳米、20纳米等工艺。工艺越小，则对一个单一芯片来说，内部存储单元的大小越小，页组数目越多，存储容量也就越大。
例如，当nandflash内部存储单元的大小缩小到30纳米时，每个块的容量可以达到256KB，每个逻辑页的容量可达2KB，整个芯片的容量提高了两倍，同时性能也有一定程度的提升。
nandflash的可靠性问题一直是业界所关注的一大问题，因此，在nandflash中增加了一种称为“纠错码”的机制，以保证数据的完整性。这种纠错码是在读取时自动生成的，可校验和纠正错误。
不同的nandflash纠错码的数量是不同的，在相同的芯片制造工艺下，纠错码数量越多，则一个块中存储有效数据的容量就越小，整个nandflash的容量也就越小。
nandflash的控制电路也对其容量有一定的影响。控制电路的复杂度越高，则它对存储容量的控制能力也就越强，nandflash的容量也就越大。同时，复杂的控制电路还能提高nandflash的读写速度和可靠性。
因此，在设计nandflash存储器时，一般会采用更加先进、复杂的控制电路，以确保nandflash存储器有更高的性能和更大的容量。
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