Magnetic Random Access Memory (磁性随机存储器)是一种新型的存储器芯片，它利用磁性孪晶体记忆体（MTJ）技术实现数据的存储和读取，具有高速度、非易失性等特点。
MRAM是一种新型的非揮发性存储器，MRAM单元由四个部分组成：加热器、自旋开关、隔离层和读写线圈。
MRAM技术的发展时间并不长，虽然技术成熟度不高，但由于它具有很多传统存储芯片无法达到的优点，所以受到了很多关注和重视。目前，MRAM在商业化方面的发展情况如下：
MRAM的应用领域非常广泛，如高速缓存、工业自动化、汽车电子、智能手机、机器人等等。由于MRAM的高速读写、低功耗、高可靠性和较长的寿命，可以使得产品更加稳定，同时也能降低能耗，为很多领域注入了新的生命力。
MRAM商业化进展方面，一个非常重要的指标就是晶圆制造方案的成熟度。不过目前MRAM晶圆方案相对成熟，产能也得到了提高，主要生产厂商有 Everspin、Avalanche Technology Inc.、Spin Transfer Technologies Inc. 等公司。
商用MRAM产品一般分为Stand Alone类型和Embedded类型。Stand Alone类型即单独存储芯片，采用BGA封装，可以直接连接PCB板进行使用，Avalanche和Everspin都推出了相关产品。Embedded类型则是将MRAM作为内嵌在SoC芯片中的存储器，在一些智能手机厂商的智能手机中已经出现。
总的来说，MRAM技术虽然在商业化方面还有一定的距离，但是由于其具有的诸多优点，使得它被认为是未来取代现有存储器的非常有利选择。相信随着技术的不断发展，MRAM必将走进人们更多的生活领域，并为我们带来更加优秀的产品体验。
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