开关管指的是具有电流控制能力的半导体器件,通常是由N型和P型半导体材料组成。它可以控制电路的通断,实现电路的开关控制。其中,MOSFET和IGBT是常见的开关管。
在开关管的控制中,存在一个称为“反馈电容”的电容,也称为米勒电容。这个电容是由于晶体管的放大特性导致的,它会对开关管的工作产生一定的影响。
在放大器的输入端加一信号源,为了提高放大器的放大倍数,通常会在输出端接一定的负载,这样输出端会有一个电流。而这个电流会在输入端和输出端之间形成一个电压,这个电压就是米勒电压。
而由于晶体管工作时,输入端和输出端的电容都存在,米勒电容就是这两个电容并联后的电容,它会影响开关管的控制。
开关管工作时是基于控制电压控制电流的,晶体管的放大倍数越大,产生的电流就越大。而由于输入端与输出端之间的电压会被放大,导致输出端的电流也会变大,相当于输入端的电容通过放大后变成了输出端的电容,所以会产生一个比输入端电容更大的反馈电容,即米勒电容。
此外,在开关管的切换过程中,存储电荷也会导致米勒电容的出现。在复杂的应用中,由于受控对象的特性,还可能会产生额外的反馈电容。
在开关管的控制中,由于米勒电容的存在,会导致开关管的控制速度变慢,延长开关时间,增加能量损耗。因此,在设计电路时,需要合理地评估米勒电容的影响,采取相应的措施来减小米勒电容对控制的影响。