为什么pmos 的1 f PMOS为什么输出1的逻辑电平？

为什么PMOS的1/f噪声比NMOS大？

PMOS的1/f噪声比NMOS大，主要是因为PMOS中的阱效应。

阱效应是什么？

当PMOS的栅极电压高于源极电压时，PMOS中会形成一个深度很浅的阱。在这个阱中，会积累一些电荷，并引起电子迁移现象，从而产生噪声。而NMOS不存在这种阱效应。

同时，阱效应还可能导致PMOS的漏电流增加，从而进一步增大其1/f噪声。

PMOS的热噪声和器件参数的不同对1/f噪声的影响

PMOS的1/f噪声除了受阱效应影响外，还受PMOS的热噪声和器件参数的不同影响。

PMOS的热噪声通常比NMOS小，但当PMOS和NMOS的器件面积相同时，PMOS的1/f噪声却通常比NMOS大。其中一个原因是PMOS和NMOS的子阈值参数不同。在相同的偏置条件下，PMOS的子阈值参数比NMOS大，而1/f噪声正比于子阈值参数的平方根。

结论

总体而言，PMOS的1/f噪声比NMOS大，主要是由于其受到阱效应的影响。此外，PMOS和NMOS的器件参数的不同也会影响它们的1/f噪声。因此，在设计电路时，需要特别注意1/f噪声对电路性能的影响。