共源共栅结构是一种常见的场效应器件的电路结构,它由一个共源极和一个共栅极构成,并且源极和栅极都与场效应晶体管(FET)的晶体管材料连接。此外,共源共栅结构中还包含有放大电路的负载电容。相比其他场效应器件,共源共栅结构有着很高的线性度,在许多电路应用中具有重要的意义。
在电路设计中,由于场效应晶体管的漏极电流对共源共栅结构的线性度有很大的影响,因此需要一些措施来减小它的影响。一般情况下,可以通过引入抵消电流的方法来解决这个问题。例如,在共源极端引入一个与漏极电流反向且大小相等的电流,可以有效地抵消漏极电流在共源极的影响,从而提高共源共栅结构的线性度。
在共源共栅结构中,若栅极接地,可以将输入信号完全传递到源极端,且源极输出电阻非常小,可以大大减小对负载电路的影响。此外,当栅极接地时,输入信号与源极之间的电容几乎可以忽略不计,因此可以防止由于电容产生的频率衰减问题,并从而提高共源共栅结构的线性度。
在共源共栅结构中,源极负载的大小对线性度有着较大的影响。如果负载电阻较小,则源极汲取的漏极电流会变大,从而对输出电压产生影响。如果负载电阻过大,则汲取的漏极电流会变小,导致信号放大倍数下降。因此,在实际应用中,需要选择合适的负载阻值,以实现最优的线性放大效果。