现代电子技术发展迅猛，MOSFET作为电子器件中最常用的晶体管之一，在各种电路中得到广泛应用。MOSFET中有一个重要的结构是衬底结，而衬底结的接法是连接到地上。那么，为什么MOS管衬底必须接地呢？下面将从多个方面进行详细阐述。
MOSFET的衬底结就是PN结，可以看做是一个反向二极管，其正向漏电流随着温度的升高而增大。如果衬底未接地，那么其原本应该被短路的漏电流就会通过其他途径回流到源和漏之间，从而使整个电路的增益发生变化。
同时，MOSFET内部也会产生很多容量，如扩散电容、结电容、漏电容等。如果不将衬底接地，这些电容就会与其它电容一起组成一个电容分压网络，影响电路的高频响应。
因此，将衬底接地可以有效地避免这些问题的产生。
在实际应用中，MOSFET存在各种电磁干扰，如射频干扰、电源干扰等。如果衬底未接地，这些干扰信号就可能进入管子内部，对正常工作产生影响，或者甚至与内部信号混叠产生失真。
同时，由于衬底结与基极之间有一定的电容，抗干扰能力的差异也会导致信号变形和失真。
因此，将衬底接地可以有效地提高MOSFET的抗干扰性。
MOSFET的PN结在反向电压大于其击穿电压时会出现击穿现象，从而使得衬底上的电荷会倾向于往源漏极的反向偏压引入，引起器件失效。
而如果衬底接地，衬底上的电荷就会及时分散，避免了击穿现象的发生。
此外，由于衬底结上的电压比源漏极之间的电压还要大，所以一些MOSFET的保护电路也会利用衬底结的特性，来避免器件的击穿现象。
MOSFET内部的衬底与 source 相连，通常用于通道的反型形成，而且也用于 MOSFET 的控制。不加接地或其他的引用常常会在衬底中产生其他的电压从而使 MOSFET 的操作变得十分复杂。因此，把衬底结接地是目前普遍采用的方法，也是制造、加工和封装 MOSFET 的一般要求。
从漏电流、电容整流、抗干扰性、击穿现象及便于设计及制造等方面来看，MOSFET衬底必须接地是非常必要的。只有通过合理的接法可以充分发挥MOSFET的性能和优势，让它在各种电子设备中发挥更加重要的作用。
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