场效应管(field-effect transistor,FET)是半导体器件中的一种,也是目前电路中常用的元件之一。那么,场效应管中间是什么级呢?接下来,我们将从几个方面来详细阐述:
FET由源极、漏极和栅极组成,其中栅极和源极不直接接触,而是通过一层绝缘层分开。当栅极加以某种电平时,形成一个电场,在绝缘层内形成一个”沟道“,使漏极和源极之间产生电流。
从FET的结构来看,可以将其分成三个区域,分别是漏极区、源极区和栅极区,其中栅极区位于漏极区和源极区之间,也就是FET的中间区域。
FET的栅极处于反向偏置状态时,会形成一个反向偏置电场,使导通沟道的电子被阻挡在栅极附近。而当栅极处于正向偏置时,沟道内的自由电子就会受到栅极电场的影响,电子密度会随着栅极电压的变化而产生变化,而这种变化会导致沟道内的导电能力发生变化,从而改变源漏极之间的电路状态。
可以看出,栅极的电压对场效应管的工作有着至关重要的影响,也是控制FET导通情况的关键因素。
由于FET具有高输入阻抗、低噪声、低失真等特点,因此在运算放大器中得到了广泛的应用。在运放中,FET往往被用于输入级,作为信号放大的关键部分。
一般情况下,被用于运放输入级的FET可以分成两种,一种是“共源型”,一种是“共基型”。前者将FET的源极接地,输出信号从漏极输出;后者则将FET的基极接地,输出信号从源极输出。无论是哪种情况下,FET都是运放电路中的重要组成部分。
FET还常被用于集成电路中,尤其是模拟电路中,可以说是集成电路中的重要组成部分之一。而在集成电路中,FET一般被用于两种情况,一种是作为信号输入放大器的前置放大器,一种是作为开关管。
无论是在运放中还是在集成电路中,FET都被广泛应用,这也说明了FET在电路设计中的重要性,而其中间的栅极区也成为了FET不可或缺的组成部分。