mosfet的反向恢复损耗是什么 MOSFET反向恢复电荷引起的损耗

mosfet的反向恢复损耗是什么

mosfet是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子元器件中，例如开关电源、电机控制等。mosfet的反向恢复损耗是指当mosfet关闭时，电流突然停止，导致mosfet通道中的电场崩溃，当下一次mosfet导通时，就会有一个反向恢复电流，导致mosfet的损耗。

影响mosfet反向恢复损耗的因素

mosfet反向恢复损耗的大小与许多因素相关，下面就重要的几个因素进行分析：

1、mosfet的驱动电路

mosfet驱动电路的设计有直接影响反向恢复损耗的大小。驱动电路的设计应该保证mosfet的开关速度，避免过慢或过快导致反向恢复损耗过大。

2、mosfet的阻抗

mosfet在反向时，阻抗会非常高，因此常规的反向恢复电路难以有效降低反向恢复损耗。为了防止mosfet的反向恢复损耗，应当尽量减少驱动电流，减少反向恢复时间。

3、mosfet的电感

mosfet驱动电路中，电感是必不可少的组件。电感的不当选择会增加mosfet的反向恢复损耗。如果选择较小的电感，可能会导致电流瞬间上升，反向恢复损耗增加；如果选择较大的电感，会导致驱动速度减缓，导致mosfet的导通时间增加。

如何降低mosfet的反向恢复损耗

降低mosfet的反向恢复损耗需要综合考虑多个因素，下面提供几种常见的方法：

1、使用反向恢复二极管

在mosfet的驱动电路中，增加反向恢复二极管可以有效减少mosfet的反向恢复损耗。反向恢复二极管可以保证电压的平滑并减少瞬态电流。

2、选择适当的电感

在mosfet的驱动电路中，电感的选择直接影响mosfet的反向恢复损耗。选择适当的电感可以降低反向恢复时间并减少反向恢复损耗。

3、仔细设计驱动电路

合理的mosfet驱动电路可以避免mosfet的反向片损耗。

4、降低驱动电流

降低驱动电流可以有效减少mosfet的反向恢复损耗。但是降低驱动电流也会影响mosfet的开关速度。在设计驱动电路时需要根据具体的情况权衡利弊。