20n90用什么代替 用什么代替20n90？

1、生产制造方面的考虑

20N90是一种超快的绝缘栅双极场效应晶体管，主要用于高频开关电源和逆变器等场合。如果需要代替，需要考虑其在生产制造方面的替代品。可以选择功率MOSFET、IGBT甚至SiC MOSFET等。

功率MOSFET和20N90在结构上相似，与20N90集成的上限可以达到200V，功率可以超过100A。具有速度快、损失低等优点。但是，功率MOSFET远离高温、过电压和反向电路。IGBT的集成与20N90相同，具有高电压、高电荷的优点，适用于大功率开关和高电压领域。但是，它的速度比20N90慢且有较高的失真率。

SiC MOSFET最适合替代20N90，它们的电导和开关时间常数接近，但SiC MOSFET的撕裂电压和工作温度都比20N90高，具有更好的功率性能和低电感损耗，噪音低，节能。

2、应用场合的需求

替代20N90的器件产品需要根据具体应用场合的需求进行选择。如果是用于高效电源和变频器中，可以选择高分辨率功率开关设备，一个明显的选择是650V和1200V SiC MOSFET，他们可以在高温条件下长期稳定运行，并且由于双极型和绝缘栅型设计，这些设备提供了读写速度快和更快的开关速度。

如果是用于逆变器设备，则可以考虑选择高性能IGBT，通常具有高结温容忍度，具有阻止反向电流流动的特点，并且在高电压和电流环境下保持安全操作。

3、工作环境的要求

替代20N90的器件产品的选择还需要考虑其工作环境的要求。在一些应用场合，公用事业等要求较高的场合，如风电、太阳能、公路灯等，需要具有更强的容错性、更低的故障率和更长的寿命，同时具有良好的稳定性和可控性。在这些应用场合需要选择具有良好抗辐射性能、低温漂移和热漂移性能的器件。

4、替代20N90所需成本因素

选择替代20N90所需的成本包括器件成本和生产成本等。比较选型时需要考虑替代器件的价格性能比、额定电压范围、温度限制、频率特性、外观尺寸等方面。在成本因素中，除了主要的基本组件价格外，还需要考虑相应的驱动电路、散热器、封装组件和维护等方面的成本。