逆变器后级H桥用什么MOS 逆变器H桥MOS管选型

1、功率MOS管的选择

功率MOS管是电力电子器件中常用的一种元器件，适用于各种电力转换和控制电路。在逆变器后级H桥电路中，MOS管的选取非常重要，不合适的MOS管容易导致电路效率低、发热大等问题。

针对逆变器后级H桥电路，我们需要选择具备低漏电流和低导通电阻的MOS管，这样可以减少能量损失和发热。同时电压承受能力和开关速度也是选择时需要考虑的因素。一般来说，选取大品牌的MOS管，如国际IR，美商飞克斯半导体等，质量有保障。

2、MOS管的参数

为了使逆变器后级H桥电路正常工作，我们需要了解MOS管的关键参数。在选择MOS管时，需要考虑以下几个参数：

① 额定电压：MOS管承受的最大电压，应大于逆变器电路中最高电压。

② 公共阻抗：两个MOS管共享同一个驱动信号，需要确保驱动MOS管的速度足够快，避免两个MOS管同时导通，造成短路。

③ 静态漏电流：MOS管导通时的漏电流，需要尽量小，以减少电路能量损失和发热。

④ 导通电阻：MOS管导通时，导通电阻越小，能量损耗越少，效率越高。

3、低侧MOS管和高侧MOS管的区别

逆变器后级H桥电路由低侧MOS管和高侧MOS管两部分组成，它们的选取也有所不同。

① 低侧MOS管：MOS管需要承受逆变器的负载电流，同时需要接地，选择时需要考虑导通电阻和漏电流，同时也需要考虑MOS管的可靠性，要选取高品质、高可靠性的MOS管。

② 高侧MOS管：MOS管需要承受逆变器的负载电压，同时由于不接地，设计时需要启用脉冲变压器实现MOS管的驱动。在选取高侧MOS管时，需要考虑电压承受能力和空间布局，选取具有大电压承受能力和性能可靠的MOS管。

4、建议的MOS管选型

以下是一些建议的MOS管选型，供参考：

① 低侧MOS管：IRF3710、IRF3205等。

② 高侧MOS管：IRF1550G、FGA25N120、FDN304P等。

需要注意的是，以上只是部分MOS管型号，选型时还需根据具体逆变器电路参数和要求进行选择。