MOS管作为一种场效应管,它的导通状态是由栅极电压(Vgs)和漏极电压(Vds)共同决定的。当Vgs电压不够时,会使得MOS管的栅极电场变弱,影响了管子工作的正常导通,从而在电路中出现异常。
如果Vgs电压过低,可能导致MOS管的Vth(或者阈值)电压过高,使得漏极电流偏小或者直接不能导通。这会影响整个电路的工作稳定性,特别是对于一些高性能、高精度的电路来说,这个问题会更加严重。
当Vgs电压不够时,MOS管的迁移电导变小,从而输出电阻也会增加。这是因为,在正常工作时,MOS管的栅极电场越强,它的迁移电导也越大,输出电阻也就越小。
但是当Vgs电压不够时,导致栅极电场变弱,MOS管的迁移电导变小,输出电阻就会增加。这意味着,MOS管输出的电压将更容易受到负载的影响,并且对于电路中的干扰信号也更加敏感。
Vgs电压不够还会对MOS管的频率响应产生影响。在高频应用中,MOS管的Cgs(栅极-源极电容)和Cgd(栅极-漏极电容)会对电路的频率响应产生影响。
当Vgs电压过低时,会导致Cgs和Cgd电容变小,进而使MOS管在高频域响应变慢。同时,频率响应降低,也会让电路的带宽减小,产生一定的信号失真和抖动。
当Vgs电压不够时,MOS管发射区的电流密度会增加,从而引起局部功率的增加。
在高功率应用中,这个问题显得更加严重。因为,功率增加可能会导致芯片超温,甚至损坏MOS管。另外,功耗增加,也会增加芯片的整体温度,影响电路的工作稳定性。