IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种具有深度耦合结构的功率半导体器件,是继MOSFET之后的又一重要的功率半导体器件,也是目前应用最广泛的功率开关管之一。
IGBT在高电压、大电流、高频率等方面有着MOSFET接近的优点,并且还有着开关管的快速开关特性和BJT结构的导电特性,因此在交流电源的控制、电动汽车、太阳能、风能发电等领域得到了广泛应用。
IGBT由P型材料、N型材料和MOSFET栅极三部分构成,属于PNP结型的结构。其中PN结部分和BJT一致,保证了电流放大的能力;MOSFET栅极部分控制谁开通,谁关闭。符号上和MOSFET一样同时又具有P型MOSFET和N型MOSFET的电性。
当栅极极性为正时,P型区域和N型区域的结区扩宽,从而形成导电路径,即通过区外PNP结的区间与内部N型区和P型区之间的结区一起构成一个P-N-P-N的四层结。在此四层结中,P-N结部分是开关控制部分,它相当于BJT的控制端。而在中间的N层的三个区域,则是功率传导区。
(1)低开启电阻,大功率输送能力;
(2)低饱和电压,减小在导通状态下的额定电源电压,降低功率损失;
(3)开关速度快,有利于高频开关;
(4)控制电压低,适合驱动器件的门级电压。
IGBT被广泛应用于各种交流电动机、变频器、太阳能、风能发电、电力电子开关等行业。在太阳能和风力发电领域,IGBT功率模块是电网连接应用最为广泛的组件之一。此外,在新能源汽车领域,IGBT还被用于电动汽车电机驱动器、电池管理和充电器控制。