RGp15G是一种射频功率放大器,常用于微波领域。在选择管代时,需综合考虑其频率响应、功率、噪声等因素。
在较高频率范围内,如5-10GHz,采用双极晶体管可获得较好的线性调制性能。在15-40GHz范围内,采用Schottky隧道二极管可获得较高的效率和功率。而在40GHz以上的范围内,一般选用微带线传输系統和GaAs FET。
在功率要求较高的情况下,可采用GaAs MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor)或Gallium Nitride (GaN) HEMT (High Electron Mobility Transistor),这些器件的功率可达到数百瓦甚至千瓦级别。
在噪声方面,GaAs MESFET的噪声系数在6-8dB之间,因此在要求低噪声的应用中可采用GaAs MESFET。但在功率要求较高的情况下,其效率较低。因此在功率和噪声要求兼备的应用中,可采用GaN HEMT,其噪声系数约为3dB,功率效率也比GaAs MESFET更高。
综上所述,RGp15G用什么管代取决于频率、功率和噪声等要求。在低噪声和高功率要求兼备的应用中,可采用GaN HEMT。而在较低频率范围内并力求线性调制性能时,采用双极晶体管较为合适。