双极晶体管有三个区域,分别是发射区、基区和集电区。发射区比其他区域掺杂浓度高,形成N型区域,用来注入电子;基区比较窄且掺杂浓度低,形成P型区域,是电流控制的区域;集电区掺杂浓度比发射区低,形成P型区域,用来收集注入的电子。
在正常工作状态下,PN结会产生一个内建电场,电子在通过PN结时会受到这个电场的影响。当P型区域与N型区域接触,N型区域中高浓度的自由电子会向P型区域扩散,同时,在PN结区域会产生一个电势差,使得自由电子向集电区移动,这个过程起到了放大的作用。
此时,在PN结中注入正向偏压,就会使内建电场减小,电子注入P型区域的数量减少,同时集电区电子的数量增加。当PN结中注入反向偏压时,内建电场增大,电子注入P型区域的数量增加,同时集电区电子的数量减少。因此,在不同的偏压下,双极晶体管能够实现电流放大。
双极晶体管的发射区是个掺杂浓度很高的区域,因此,如果发射极向基极施加足够的正向电压,就会使发射区中的电子进入基区,从而控制电流的大小。
当发射极正极电压增加时,发射区中电子数量增加,因此基区的电流也增加。这种控制电流的方式称为“电压控制”,可以实现放大作用。
双极晶体管有两种极性,NPN型和PNP型,它们的结构相互对称。这就意味着,NPN型双极晶体管和PNP型双极晶体管可以实现互补性放大。
当NPN型双极晶体管放大电流时,PNP型双极晶体管的集电极处也会有电流输出。当PNP型双极晶体管放大电流时,NPN型双极晶体管的集电极处也会有电流输出。这种互补性的作用可以使双极晶体管实现更高的放大效果。