在FET(field effect transistor)场效应管中，有两个重要的参数，分别是vgs与vds。vgs指的是栅源电压（Gate-Source Voltage），vds指的是漏源电压（Drain-Source Voltage）。这两个参数在FET的电路设计中起着至关重要的作用。
栅源电压（vgs）是指场效应管的栅极与源极之间所加的电压，通常用直流电压来表示，单位为伏特（V）。当栅源电压为正值时，与场效应管的源极相连的部分被带正电荷，而栅极则是负电荷。当栅电压较小时，源区的导电效果取决于电流的大小。如果电流很小，分界面上就会出现一个与空穴电导率有关的电势垒，使电流得以通过。如果电流比较大，电流不再过分依赖电势垒，而是通过有功的掺杂和游离载流子直接建立在空腔中。
漏源电压（vds）是指场效应管的漏极与源极之间所加的电压，在工程上又称为“管子电压”，通常用直流电压来表示，单位为伏特（V）。漏源电压是指管子的电源压力，也就是管子焊接点或引脚处的电压，正常情况下管子电压为零，当管子导通时，管子电压才有值。
vgs和vds同时存在于场效应管中，这两个参数之间存在着一定的关系。简单来说，当vgs不变，vds逐渐增大时，场效应管中的电流也会随之增大，但电路中的功耗也会相应地增大。当vds较大时，管子的晶体管特性会引起电路中噪声的增加。因此，在电路中，需要进行合理的设计，尽量让vds保持在稳定的范围内，以保证电路的正常工作。
在电路中，vgs与vds的作用非常重要。例如，在场效应管的放大电路中，可以通过调整vgs和vds来达到放大的目的。在某些情况下，需要将vgs作为控制电路的输入信号，将vds作为输出信号进行控制。此外，在许多数码电子电路中，vgs和vds也是非常重要的参数，例如逻辑门、模拟放大器等。
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