为什么N沟道要用p衬底 为何N沟道需要p衬底

1、基础知识

N沟道管是一种常用的场效应管，由P型衬底上掺N型区域形成P-N接面，再在上覆盖着一层氧化层和金属接触，形成绝缘栅结构，在外加电场的作用下就可以控制P型衬底上的大量N型电子进行导通，达到控制电流的目的。

2、避免反向击穿

N沟道管的衬底一般选择P型硅，这种设计能够避免衬底本身形成PN结反向击穿，从而提高场效应管的工作稳定性。当N沟道管处于OFF状态时，P型衬底可以起到一个反向电压抑制作用，通过选择P型衬底，可以有效防止N沟道管受到外界环境电磁场和静电场的干扰而失效。

此外，如果N沟道管使用N型衬底，当管子工作在反向电压过高时，将会使衬底形成反向PN结，在此情况下，即使栅极施加零电压，管子也会导通，导致管子失效。

3、提高硅片利用率

利用P型衬底制作N沟道管相对于N型衬底可以提高硅片利用率。由于衬底和沟道电阻有关，当衬底电阻越大时，沟道电阻也就越大，从而能够获得更佳的电学特性，提高器件性能。因此使用P型衬底的N沟道管具有更高的电学参数和更高的常规性能，可以提高整个芯片的可靠性和工作稳定性。

此外，使用P型衬底可以避免PN结形成时堆积出来的PN结废料对于芯片的影响问题，从而提高硅片的利用率。

4、提高生产效率

同时选用一种P型衬底制作多个器件可以减少衬底构成过程的复杂度，因为单晶硅材料的生长和处理成本是很高的，因此在单一晶片上制造多个器件可以极大提高制造效率。同时，还可以大大降低硅片的制造成本成本，从而提高芯片产量和降低成本。