MOS是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是制造现代集成电路的常见元器件。PMOS是MOS的一种类型,与普通MOS相比,它的性质和特点有所不同。
MOSFET晶体管是电子学领域中的一种新型器件,由于它具有输入电阻高、体积小、功耗低、可靠性高等优点,它应用广泛,成为数字电路和模拟集成电路中的重要元器件。在MOSFET晶体管中,MOS和PMOS是最基本的两类。
MOS和PMOS之间最显著的区别在于工作原理。MOS中的输电极是NMOS,控制电量必须引入一个极性和场效应同相,使输电极和源极间的电子压缩层形成,从而改变母体的导电特性。而在PMOS中的输电极是PMOS,其电荷与与MOS相反,要控制它的流入需要一个场效应电量与自身异相,这能够产生使输电极和输入端间的电子压缩层形成,从而控制PMOS的导电特性。
除了工作原理的不同,MOS和PMOS在操作时也有着不同的方式。在MOSFET集成电路中,NMOS晶体管是非常常见和标准的晶体管类型。NMOS晶体管在高电平时关闭,而在低电平时开放。这使得NMOS晶体管在当时拥有空间更多的性质和特点,而PMOS的行为与此相反。
由于MOS和PMOS的性质不同,它们在应用中也有一些不同的场景。举个例子,在数字电路中,NMOS用于布尔逻辑,因为它可以与多个输入结合,并且电平反转的效果更明显,而PMOS在电源上或者在分压器的低端用于测量电势电压,因为它与电源负极相连。