NAND_flash为什么容易坏 NAND闪存易损坏的原因。

1、存储单元擦写次数的限制

NAND Flash 每个存储单元的液晶层和栅极之间有着非常小的隔离层，电流用于插入和排放每个叫做 EEPROM 或闪存的存储单元。但这些存储单元并不能无限次重写，而是有一个最大重写次数。随着存储单元重复擦除次数的增加，电荷会在液晶层内辗转反复，使它们逐渐丧失其捆绑力。在最终更新一个存储单元之前必须擦除它，这是一个时间和劳动集中的过程。

当液晶层内的捆绑力丧失时，写入一个数据位变得不确定，这可能导致数据丢失或 NAND Flash 故障。因此，过多的重复写入，最大重写次数被达到以后，可能会导致存储单元不能正常擦除。

2、异物与温度的影响

异物的存在和极端温度都会影响 NAND Flash 的寿命。当落入存储单元内的异物会使擦除操作更加困难，降低 NAND Flash 的可靠性，导致数据错误或丢失。温度变化也会对闪存存储器有重大影响，极端的高温会导致液晶层内电荷损失过快，而极端的低温则会使电荷移动更困难，这都会导致 NAND Flash 无法正常工作。

用在传感器、嵌入式系统以及其他需要长时间稳定性和耐久性的设备的 NAND Flash 一般应该通过一些额外的设计措施来保障其工作，比如添加热管理机制，以防止过热和过冷。

3、电气噪声的干扰

电气噪声是 NAND Flash 通常面临的另一个问题：这些设备对于电力噪声特别敏感，因为它们的基本工作是机电能量信息的转换。由于在现代系统中 NAND Flash 的位置靠近处理器和其他频率较高的电子元器件，平衡电荷可能会受到干扰，导致不可预测的行为，例如闪存中的数据错误。

4、极端的读取和写入速度

NAND Flash 基于电荷传输和控制逻辑的原理，其速度是有限的。在极端的读取和写入速度下，NAND Flash 所面临的内部压力可能会超过其容忍范围。在高速下经常发生的问题是，数据没有能在存储器中正确地存储。

当写入速度太快时，数据的写入可能不完全，并解释为“写安全故障”，这会导致像 PC 或智能手机这样的设备出现系统问题。同样，读取操作也需要订制的频率：读取速度过快会导致数据出现翻转，或者读取失败。