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什么是VDMOS？

VDMOS(Metal-Oxide-Semiconductor with Vertical Double-diffused structure)即垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于MOS场效应管的一种。它是由Gerald D. Mahan与John H. Grove于1977年首次提出。VDMOS具有低导通电阻、低漏电、高速开关、较小的尺寸等特点，使得它在高电流功率开关市场中受到广泛的应用，其中包括电源、马达驱动、照明、变换器等等。

VDMOS与DMOS的区别

由于其结构有所不同，VDMOS有着比DMOS更低的导通电阻。VDMOS的导通区宽度、接触电阻和底接触电极均通过工艺得到一定的优化，其漏反向特性也相对较好。DMOS的空间结构仅靠受理扩散层的抑制，通过增强漏电区，以提高反向工作电压。因此，VDMOS在高电压应用中具有很高的可靠性。

VDMOS的优缺点

优点

其性能优越，具有低导通电阻和高的电子迁移率，还有优秀的抑制，漏直流电阻和面积比较小的加强漏反型区。另外，在VDMOS基片的背面安排散热片，可以有效降低温度。此外，VDMOS的耐压能力强，反向击穿得到有效控制。

缺点

VDMOS的缺点是结构复杂，制造成本较高；在高温下会有漏电流的问题，这可能会损害其长期的可靠性。

VDMOS的应用领域

由于VDMOS具有电压低、导通电阻低、开关速度快等优些特点，使得它在一些领域得到广泛应用，其中最重要的应用行业就是电源行业。当前，VDMOS已经成为了泛用电源开关的主要芯片模式之一。此外，VDMOS也广泛应用于高效电力治理、医疗和航空航天领域，这些领域都需要高性能电子和能源治理技术。