磁场灵敏度是用来描述磁传感器的一个参数,通常用来表示磁场变化引起的输出变化率。而单位是指该参数的度量单位。
磁场灵敏度是指磁场传感器输出信号与磁场强度之间的关系,也可以理解为磁场强度改变时传感器输出信号的变化。这个参数越大,表示磁场传感器对磁场的变化越敏感。
磁场灵敏度通常是用单位磁场(例如高斯或特斯拉)下传感器输出的电压、电流、阻抗等物理量,来表示变化幅度。
磁场灵敏度的度量单位通常是高斯/安培 (G/A),特斯拉/安培(T/A),高斯/奥弗斯特(G/Oe)等。其中,高斯/安培主要是针对霍尔元件这种类型的磁场传感器,而特斯拉/安培则更适用于霍尔效应元件和基于磁电阻原理的磁场传感器。
不同类型的磁场传感器磁场灵敏度不同。例如,霍尔元件的磁场灵敏度通常是几十至几百高斯/安培,而磁电阻传感器一般可以达到数千高斯/特斯拉。此外,随着磁场强度不断增加,某些磁场传感器的灵敏度也会发生变化。