物理去字是指通过改变集成电路器件的物理结构或物理材料等方法实现去字。其中，最常见的方法是使用场致发射技术，即利用高电场下，某些材料表面会产生电子发射的物理现象，将未期望形状的器件部分发射掉。另外，也可以采用化学方法去字，例如在器件表面涂覆化学药品，消蚀掉未期望形状的部分。除此之外，还有一些其他物理去字方法，如激光刻蚀、离子束刻蚀等。
光阻是集成电路制造中常用的一种材料，其原理是通过紫外光照射一定时间后，将被照射的部分发生化学变化，可进行显影、腐蚀等工艺步骤，从而实现制造芯片的器件及线路图案。在光阻去字过程中，首先要将光阻涂覆在器件表面上，并使用掩膜刻蚀机对其进行曝光，根据掩膜的不同设计，可以去除特定的光阻部分，从而得到期望形状的器件结构。
除此之外，还有一些光阻腐蚀方法，即将特定的光阻材料涂覆在期望被去除的部分上，再进行通过腐蚀工艺流程，去除光阻和器件部分。
化学去字方法是一种通过使用特定的化学药品对集成电路的未期望形状的部分进行蚀刻，改变器件结构的方法。其中最常用的是湿法腐蚀技术，即将特定药品制成溶液，与器件表面接触，从而移除表面上的材料。同时，也有一些干法腐蚀技术，如电子束蒸发等。
机械去字是指通过利用机械加工的方法将未期望形状的部分从集成电路中去除。常用的方法包括机械切割、抛光、锉刀去除等。这种方法相对于其它去字方法而言，其去字效果较为稳定可靠，但是由于加工精度受到机器的限制，相应的工艺难度也会增大。
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