MOS即“Metal-Oxide-Semiconductor”,中文名为“金属氧化物半导体”,是一种重要的半导体器件。它由金属、氧化物和半导体这三部分组成。金属通常是铝或铜,氧化物通常是二氧化硅。MOS在各种电子电路中广泛应用,包括逻辑运算、放大、延时、频率倍增器、振荡器、数据转换、记忆器和微处理器等。
MOS的工作原理基于晶体管原理。其核心是氧化层在金属与半导体之间形成的介电层。当金属控制电极(通常是铝)中的电子通过半导体片时,会在介电层上形成一个强电场。这个电场可以吸引或排斥嵌入半导体的电子,从而使电荷在半导体表面形成一个区域,称为电荷沟(Channel)。在这个区域中,电子可以自由流动,实现电路的功能。
MOSFET是一种常见的MOS器件,其中FET代表场效应晶体管(Field Effect Transistor)。它有三个连接器:栅极、漏极和源极。栅极连接到金属控制电极,源极和漏极连接到半导体。
MOS的优点包括:
MOS在以下领域得到广泛应用: