硅整流二极管是目前应用最广泛的整流元件之一。它具有导通电压低、反向漏电流小、工作可靠等特点。硅整流二极管的结构简单,是由一个P型半导体和一个N型半导体组成,因此价格也比较低廉。
硅整流二极管主要用于低压高频整流电路,例如逆变电路、开关电源、充电电路等领域。
落锗整流二极管是第一代整流二极管,具有导通电压低、反向漏电流小、极限工作温度高等优点,但是其价格比较昂贵。随着技术的发展,落锗整流二极管已经很少使用了。
落锗整流二极管主要用于高精度仪器、电离室等领域。
快恢复二极管与硅整流二极管相比,导通电压稍高,但是反向恢复时间短,具有极佳的反向恢复特性。它可以快速地将电容存储的能量释放,减小由于充电电流产生的电磁干扰。快恢复二极管被广泛应用于高频开关电源、UPS等领域。
IGBT是一种集成了功率 MOSFET和BJT双重优点的半导体器件,具有低导通电阻、高输入阻抗、强耐压能力等特点。IGBT主要用于中高压逆变器、交流电机驱动、UPS等领域。