在半导体物理学中,半导体被分为本征半导体和掺杂半导体两种类型。本征半导体是指未被掺杂、纯净的半导体材料。相对地,掺杂半导体是指在基材中加入特定的杂质元素制成的半导体。
本征半导体具有与掺杂半导体不同的电学性质。
在室温下,本征半导体的载流子浓度极低,即使在高电压下也很难形成电流。但当本征半导体被高温加热或加入特殊的杂质元素时,电子的数量会显著增加,从而形成可控制的导电性能。
此外,本征半导体的禁带宽度较大,电子跃迁的能量需要较高的激发能。因此本征半导体通常只在高温和大电场下才能实现导电。
尽管本征半导体的导电性能较弱,但其在半导体技术研究中仍具有重要作用。
一些研究人员利用本征半导体研究光电子学和新型半导体器件性能。本征半导体的电学特性可以为这些研究提供精确的控制手段。
此外,本征半导体也是掺杂半导体的基础材料。掺杂半导体通过在本征半导体中加入精确的杂质元素实现特定的电学性质。因此,研究本征半导体的电学行为对于制备高性能的掺杂半导体材料具有至关重要的意义。
本征半导体和掺杂半导体在电学性质上存在显著差异。迄今为止,研究人员已经掌握了掺杂半导体在实际电子设备中的广泛应用。
相对地,由于本征半导体的导电性质较弱,并且只有在一定的条件下才能实现电导,因此本征半导体的实际应用领域较窄。尽管如此,研究人员仍在利用本征半导体探索新型半导体结构和材料性质。