为什么pmos做在n阱上 PMOS为什么要放在N型沟道上？

1、PMOS和NMOS的差异

PMOS和NMOS都是场效应晶体管（FET），但是它们的结构有所不同。

在NMOS中，电荷被放置在阱（或沟道）中，阱是从P型半导体中刻出的，而源和漏则是注入N型区域的，这意味着阱、源和漏是由三个不同的区域组成的。

与此不同，PMOS中的电荷放置在P型阱里，阱和源漏区域都是由P型半导体刻出的。此外，PMOS的极性相反，即当栅极电压为低时，沟道会形成，电流流经源漏之间的沟道。

2、PMOS在N阱上的优势

PMOS晶体管通常被放置在n阱上有几个原因：

首先，由于PMOS是由P型半导体制成的，因此在一个N型芯片上制造PMOS晶体管需要在P型区域内制造它们。这通常需要在上面镀一层P型材料，从而形成P型沉积物。但是，这个过程往往会留下很多杂质，并且使用这种方法制造PMOS晶体管的质量也很难保证。

与此不同，将PMOS放置在N阱上可以采用相同的CMOS（电荷耦合栅场效应晶体管）制造工艺。这种制造工艺可以在P型区域上使用同样的CMOS晶体管制造过程，从而省去了制造PMOS晶体管所需要的额外步骤。

其次，将PMOS放置在N阱上可以减少晶体管之间的距离。N阱可以通过制备出现在晶片的顶部来形成，这使得PMOS和NMOS之间的距离变得更短，从而可以减少芯片的总大小。

3、N阱上的额外注入

当PMOS被放置在N阱上时，会对阱注入一些额外的杂质。这个过程被称为“背注”，背注后的PMOS在电流-电压（I-V）特性和温度响应方面会有所改变。

通过背注可以达到一些重要的目的，比如降低PMOS电阻和提高阱的容积。这会提高PMOS的速度和功率，在设计高速CMOS电路时尤为重要。此外，背注还可以通过改变PMOS通道的电学特性来提高噪声边缘。

4、防止PMOS的互连电容

另一个将PMOS放置在N阱上的原因是为了防止互连电容。如果PMOS和NMOS都在P型半导体上制造，那么它们之间的电容将成为一个主要的问题，会导致信号受到干扰。为了避免这个问题，PMOS必须放置在N型半导体上。

而且，N阱可以被用来隔离PMOS和NMOS之间的电流，这也可以减少互连电容的影响。