pnp管是一种有三个区域的双极型晶体管。与一般的晶体管不同,它是由一个 n 型半导体夹在两个 p 型半导体之间构成的。中间的 n 型半导体叫做基极,左边的 p 型半导体叫做发射极,右边的 p 型半导体叫做集电极。
其中,发射区的基极材料与集电区的基极材料相同。不同的是,n 型材料(即基极材料)在发射区集电极和基极之间具有夹断电容的作用,就像是一个电容器一样。
pnp管的制作材料主要包括三种:
(1)发射区材料:由高掺杂的 p 型材料构成,掺杂浓度一般为10^20~10^21个/cm3。
(2)集电区材料:也是由高掺杂的 p 型材料构成,掺杂浓度大于发射区掺杂浓度。
(3)基区材料:由 n 型半导体材料组成,掺杂浓度为10^16~10^18个/cm3。
与其他晶体管相比,pnp管的电流放大系数较小,速度也较慢。但是,在许多电路中,像输出驱动器、分立器和电源反向器等电路中,pnp管具有很好的稳压特性和欠电压特性。同时,它们也可以在高温环境下长时间可靠地工作。
除了在晶体管的电路中使用,pnp管还广泛应用于芯片制造和光电子领域。在芯片制造中,pnp管通常用作模拟电路(例如功率放大器),在使用光电探测器时,pnp管可以用作高速、高精度的电压源。
pnp管作为一种特殊类型的晶体管,其最大的优点在于其稳压和欠电压功能,因此在很多低电压、高稳定性应用的电路中得到广泛应用。但是,由于其电流放大系数比较低,速度也比较慢,因此在其他类型电路中使用相对较少。