pmos为什么少 为什么pMOS晶体管数量相对较少

1、工艺上的限制

在CMOS工艺中，pmos和nmos都要掺杂材料来控制电子的流动方向，但是pmos掺杂的材料往往比nmos难处理，需要更高的温度和更长的时间才能完成掺杂过程。这导致了pmos在制造过程中更容易受到影响。

另外，pmos的空穴迁移率比电子迁移率要小，这使得在相同尺寸下，pmos的电导率、速度等性能都要比nmos差。

2、功耗问题

在CMOS电路中，nmos和pmos是交替出现的。由于nmos和pmos的电流方向相反，它们在导通时会产生互补的效应，使得整个电路的静态功耗较小。然而，由于pmos电导较小，这就意味着pmos在导通时需要消耗更高的电压。这将导致在实际电路中，pmos的动态功耗要比nmos高。

3、市场需求

PMOS虽然性能不如NMOS，但在某些特定的应用领域中拥有一席之地，例如模拟电路中需要输出高电平的场合、电源开关、模拟开关等。但是，随着市场需求的变化和技术的进步，越来越多的场合都需要使用高性能的CMOS电路，因此对PMOS的需求量逐渐减少。

4、替代方案的出现

为了弥补PMOS的不足，人们开始寻找新的电路设计方案。例如，在某些场合下，可以使用双极性晶体管（BJT）代替PMOS，因为BJT可以提供更高的电导。

同时，随着新型材料和新工艺的出现，人们也开始探索新型的PMOS结构。例如，近年来出现了一种新型晶体管SONOS（silicon-oxide-nitrid-oxide-silicon）,它采用了新型的材料和工艺，可以在一定程度上弥补传统PMOS的不足。