为什么fet比bjt节能 FET为何比BJT更省电？

1、FET与BJT的结构差异

FET(场效应管)和BJT(双极型晶体管)的结构不同造成了其特性的差异。FET的主要构成包括三个区域——栅极、漏极、源极，其中栅极和源极之间由介质隔离，形成一个氧化层，栅极上的电压可以通过氧化层间的电场控制漏极和源极之间的导电。而BJT的主要构成包括三个区域——发射极、基极和集电极，发射极和集电极之间是由基极控制的PN结。

由于FET是靠氧化层将栅极和源极隔离的，这个隔离层是一个电绝缘体，没有电流流过去，从而使得FET的输入电阻非常大，即电流比BJT小得多。这就有效地降低了FET的功率消耗，因为少量的输入电流相比于最大输出电流可以忽略不计。

2、FET的低内部电流

在工作状态下，FET的门极有电压，而BJT的基极有电流，FET的输入电流接近于零，自然会使其效率更高。现代FET的门极电压为1V或更低，并且使用原型晶体管制程加工成百上千个晶体管，因此，热噪声和其他随机噪声都很少—这使得FET与功率MOSFET在击穿前的噪声极低。

相反，每个BJT晶体管都是由许多掺杂材料制成的活跃区域嵌在其中，会产生一些朝着发射极（P型材料）和朝着集电极（N型材料）的互补电子和空穴。在放大作用下，能够看到这种情况下的大量电流，这使BJT更加耗电，并且效率更低。

3、FET的输出阻抗大

FET的输出电阻要比BJT大得多。当FET通过大电流时，其输出电阻几乎不会变化，而BJT的输出电阻则随着电流的增大而增大。这是因为BJT的基电流会使其整体放大，从而导致增大的输出电阻。这也是为什么许多功率Amplifier和电路使用FET而不是BJT的原因之一。

4、FET的开关速度更快

FET的开关速度比BJT快。因为BJT的PN结需要大量的时间才能释放及重新填充电荷，而FET中电场的响应时间很快，它只需要改变Gate-Source电压即可改变电路状态。因此，FET被广泛用于高频应用，并且在高速数字电路中也使用广泛。