SAM存储器,全称串行抗干扰存储器(Serial Access Memory),是一种具有高速、高密度和低功耗的存储器。它主要应用于智能卡、SIM卡、磁条卡和接触式IC卡等领域,是这些应用中最为重要的存储器之一。
SAM存储器的工作原理是基于电容器的存储原理。它由多个存储单元组成,每个存储单元包含一个电容和一个开关。当开关关闭时,电容器的电荷被保留在其中。在读取数据时,通过控制开关的通断状态,使得被选中的单元通过输出端口输出电荷,实现数据读取。
在写入数据时,先将要写入的数据输入存储器,然后控制相关的开关,将输入的数据传输到被选中的存储单元中,通过改变电容器内部的电荷状态完成数据写入。
SAM存储器具有以下几个特性:
1、高密度。SAM存储器的存储单元可以集成在非常小的芯片面积内,因此可以实现非常高的存储密度。
2、低功耗。由于SAM存储器的存储单元并不需要持续刷新,因此其功耗很低。
3、高速读写。SAM存储器的读写速度极快,可以达到数十MHz的速度。
4、良好的抗干扰性。由于SAM存储器采用串行存储结构,不像SRAM和DRAM一样对噪声比较敏感,因此有较好的抗干扰性。
由于其高密度、低功耗、高速读写和良好的抗干扰性,SAM存储器已经广泛应用于智能卡、SIM卡、磁条卡和接触式IC卡等领域。例如,在身份证、银行卡、汽车门禁卡等各种安全应用中,都需要使用到SAM存储器。此外,由于SAM存储器的存储安全性高,也被一些行业用于安全USB存储器、智能手环等产品中。