栅极是晶体管的一部分,它是一个电极,通常由金属制成。在晶体管中,栅极位于集电极与发射极之间,起到控制电流的作用。栅极的电压会影响晶体管的电流,可以将晶体管调整为导通或截止的状态。
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,栅极也是一种电极。它通常由多晶硅、金属或诺贝尔金属氧化物半导体制成。在MOSFET中,当栅极电压变化时,会对源漏极之间的电阻产生影响,从而影响电流流动。
栅极在晶体管中起到控制电流的作用。当栅极电流为零时,晶体管处于截止状态,电流无法通过。当栅极电流有一定值时,晶体管处于饱和状态,电流可以通过。
在MOSFET中,栅极同样起到控制电流的作用。它的电压可以影响源漏极之间的电阻,从而影响电流流动。由于MOSFET的栅极电流非常小,所以它也被称为电容耦合场效应晶体管(CCFET)。
栅极通常由金属制成,例如铝、钨或铜等。在晶体管中,栅极由掺杂硅制成。在MOSFET中,栅极由多晶硅、诺贝尔金属氧化物半导体或金属制成。
栅极最早是在三极管中使用的。三极管是一种基于PN结的半导体电子器件,在20世纪50年代和60年代广泛使用。后来,晶体管逐渐取代了三极管。1959年,商用MOSFET问世,使得栅极逐渐成为了晶体管中的重要组成部分。
20世纪60年代和70年代,MOSFET技术飞速发展。随着计算机的发展,MOSFET也在不断提高性能,并取代了许多传统的半导体器件。