电相变，又称为电致相变或电致相变存储，指的是基于电致相变材料的一种新型非挥发性存储方式。通过在电致相变材料中施加电场，可以控制其结构状态的变化，从而实现存储信息的目的。
电相变存储的工作原理是利用电致相变材料这种特殊材料在不同状态下的阻值不同的特性。电致相变材料在低电场下呈现非晶态，在高电场下则会呈现出晶态。通过控制电场的大小和时间长度，可以将电致相变材料从一种状态转变为另一种状态，达到存储信息的目的。
在使用中，先将电致相变材料施加一定电位，使其处于非晶态，此时材料的电阻较低；当再次施加电位使其处于晶态时，材料的电阻会突然变高，这种变化可以被记录下来，实现对信息的存储。通过控制电位施加的时间和大小，可以精确地控制电致相变材料的状态变化，达到较高的存储可靠性和速度。
目前，电相变技术已被广泛应用于各类存储器中，比如非挥发式随机访问存储器（NVRAM）、快速存储器（FastRAM）和存储级内存（SCM）等，可以取代传统存储介质的一些缺陷，如易失性、读写速度慢、功耗高等问题，具有很高的应用前景。
此外，电相变技术还可以应用于人工智能（AI）领域，用于实现计算加速、数据存储和模型训练等任务。电致相变器件可以快速地适应不同的算法，大大提高了AI的运算速度和能耗效率。
电相变技术具有很高的应用前景和商业价值，未来将会有更多的应用场景得到开发和拓展，如高速列车、智能家居、医疗器械等等。此外，随着电致相变材料的不断研发和改进，其存储密度和读写速度还有很大的提升空间，未来有望成为下一代存储设备的主流技术之一。
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