二极管反向恢复时间(Reverse Recovery Time,简称RRT)是指二极管从正向导通状态到反向截止状态所需要的时间。在电路中,二极管的快速开关是非常重要的。因此,快速恢复二极管(Fast Recovery Diode,简称FRD)的研究和应用越来越广泛。在众多二极管中,什么二极管的反向恢复时间最短呢?
碳化硅(Silicon Carbide,简称SiC)二极管是一种新型的功率半导体器件,在高温高压、高频等环境下有着更好的性能表现。与硅二极管相比,SiC二极管的击穿电压较高、漏电电流较低、RRT较短。其大功率、高速开关性能被广泛应用于轨道交通、航空航天等行业。
肖特基二极管是一种具有非常快的开关速度和低的正向压降的二极管。由于其材料结构与硅二极管不同,因此反向恢复时间也会更短,通常在几纳秒量级。同时,肖特基二极管还具有很高的耐压能力和噪声等级,被广泛应用于高速开关电路、高频电路、混频电路等领域。
柔性肖特基二极管是一种在硅衬底上生长的铜化物纳米线,通过互穿网格的方式组成,其反向恢复时间也相对较短。由于其柔性和可弯曲性,可以使其适应复杂的非平面结构,产生出高性能的柔性电子设备,并被广泛应用于柔性显示、柔性电子等领域。
Schottky势垒二极管是一种具有超快速开关特性,并且正向压降比一般二极管小得多的半导体器件。由于其结构特殊,可以减少PN结的不可避免缓慢反向恢复,因此具有非常短的反向恢复时间。由于其优秀的频率特性、低噪声、低漏电流等优点,被广泛应用于微波、射频、功率开关等领域。