为什么igbt可以大大降低导通压降 igbt为何能降低导通压降

1、PN结尺寸小

IGBT中的PN结尺寸比MOSFET小，这种小尺寸的结构使得流经IGBT时的导通电阻小很多，从而大大减小了导通压降。同时，小尺寸的结构还降低了开关过程中的开启和关闭时间，从而大大减小开关损耗。

2、集成IC驱动

与MOSFET一样，IGBT也可以通过启动信号控制开关的状态。但相比于MOSFET，IGBT驱动器集成度更高，因为它需要将高电压转换为低电压来启动。使用高度集成的驱动器，能够减少开启和关闭的时间，减小开关过程中的功率损耗。

3、结构优化

IGBT通过结构设计的优化，可以大大降低导通压降。例如，一些IGBT会采用格栅结构，以减小导通中的电感。另外，一些制造商还采用多重PN结结构，从而通过进一步减小导通电阻和提高导通效率来降低导通压降。

4、应用广泛

由于IGBT的低导通压降和高集成度等特点，它在许多领域应用广泛，例如：作为直流至交流的转换器，用于发热、照明、电力电子等领域，以及用于新能源汽车等高效转换器中。