内部过电压是指电路中部件、器件内部出现比设计值更高的电压。在半导体器件中，因为其工作模式是基于PN结的压降，如果局部压降不平衡，就会引起内部过电压。在工作时，较小的内部过电压会被自行消除，但当超过极限值时就会加剧失效速度。
半导体内部过电压的大小可以通过PN结特点分析，如容积效应、温度效应等来确定。在制造器件时，对于一个新型号的器件，要对不同的工作环境进行模拟和测试，以掌握其特性与限制。对突发电流的保护电路可以有效防止内部过电压的影响。
线路板是电子器件的支撑体，其布局对电路设计至关重要。电路板的布局与内部过电压的关系密切，因为线路板上的走线长度，位置和宽度都会影响信号的传播速度和反向电压。如果电容和电感元件的位置不合适，则会在两个元件之间形成过电压，这是线路板布局不当的结果。
因此，需要在电路设计阶段进行SIMULATON仿真，以确保电路板的电压信号质量是稳定的。当处理线路板的布局时，需要留足够的空间，以便下一步安全维修。应该避免叠加电压高、电流大的线或弯曲的波峰。这些都会产生较大的过电压，从而导致电路失效。
内部过电压也与电源输入电压的变化幅值和频率有关，过大的电压变化和频繁的电压波动都可能导致内部过电压的产生和放大。这是因为输入电压的波动会释放束缚在电容和电感中的能量，从而产生过电压，从而引起删除依赖于频率响应的电感电容。
为减小因电源干扰影响而引起的内部过电压，需要选用质量可靠的电源，提高电源的稳定性。此外，对于容易造成电源电压波动的设备，可以通过添加滤波器的方式来降低其对电源的影响，从而减小因电源功率的干扰而导致的内部过电压。
工作于高功率开关状态下的设备（如MOSFET、IGBT等），在工作时为了确保器件的开通和关闭是快速的，输入的电压和电流波形的波峰会急剧变化。当这些过渡波形耦合到其细丝线圈结构中时，就会产生电磁感应电流，从而在开关时瞬间形成一定的高能脉冲，导致内部过电压的产生。
这种情况通常需要采取多种方法来解决，如增加电磁屏蔽、涂抹波阻抗元件、增大导引线截面、加强接地等。同时，应该在设计和选取高频元件上更加慎重，选择峰值电压更高的器件，以避免内部过电压损坏器件。
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