fga25n120是一款MOS场效应晶体管,广泛应用于交流电力变换器、逆变器和电动工具等高电压高频率应用。该管具有低导通和开关损耗、高温特性、低误差和电感成本等优点,在市场上受到了广泛的认可。
该管是Fairchild公司推出的一种新型IGBT,与传统IGBT不同,它使用了增强型射频MOSFET制造工艺,从而大大改善了芯片上的线路布局。此外,对于高频率应用,其高雪崩能力和快速切换时间也是比较理想的。
fga25n120具有以下的主要特性:
1. 支持最大Vce电压-1200V,可靠的耐受与短路保护机制。
2. 支持最大Ic电流-50A,较低的噪声系数和较小的输入电容
3. 截止时间很短,导通电阻小,开关时间短。
4. 温度范围宽,可承受高温。
5. 具有低成本、低失真、低能耗、高可靠性等优点。
6. 适用于多种应用领域,如电机控制、电气化铁路、交通信号灯等。
fga25n120主要用于交流到直流变换器、电源转换器、可编程逻辑控制器(PLC)和电动工具等各种应用场景中。
在交流电力变换器中,fga25n120可以作为单相或三相逆变器电路的主开关管。而在电动工具的BLDC电机驱动器中,则是作为电机驱动器的功率部分。
此外,fga25n120也可以用于电气化铁路中,作为制动器开关用于传递制动信号。
使用fga25n120 MOS场效应晶体管时,需要注意以下事项:
1. 应该选择尽可能低的电源电压,以匹配FGA25N120的低电流损失特性。
2. 如需要设定IGBT的驱动电流,需要在0.5A以下选择一个合适的负载电阻。
3. 需要避免过度驱动,控制IGBT的gate电压峰值在25V以下。